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（略）受招標(biāo)人委托對下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國際公開競爭性招標(biāo)，于（略）-（略）-（略）公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。
1、招標(biāo)條件
項目概況:帶磁控沉積的離子束刻蝕機(jī)采購
資金到位或資金來源落實情況:資金已到位
項目已具備招標(biāo)條件的說明:項目已具備招標(biāo)條件
2、招標(biāo)內(nèi)容
招標(biāo)項目編號:（略）-（略）HW（略）
招標(biāo)項目名稱:帶磁控沉積的離子束刻蝕機(jī)采購
項目實施地址：（略）e border="1" style="border-collapse: collapse;" width="（略）px">序號 產(chǎn)品名稱 數(shù)量 簡要技術(shù)規(guī)格備注（略） 帶磁控沉積的離子束刻蝕機(jī)采購 （略） *最大樣品尺寸直徑6英寸，兼容4英寸 （載盤式設(shè)計） 刻蝕速率 ≥ （略） nm/min（6寸晶圓，SiO2膜） *刻蝕均勻性≤ 3 % 6寸晶圓，SiO2膜， (max - min)/(2 x mean)) *設(shè)備采用2.（略）GHz微波離子源 *離子束有效束徑（略）mm *真空腔室?guī)IDEN Analytical Ltd. SIMS終點(diǎn)檢測裝置，設(shè)備具有相應(yīng)的法蘭接口 *真空腔室?guī)Т趴貫R射源接口 *工件臺傾斜（略）度可調(diào)，調(diào)節(jié)范圍0-（略）度，控制精度+/-0.1° *磁控濺射源安裝在腔室頂部，用于介質(zhì)的鍍膜工藝，做原位側(cè)壁保護(hù)
3、投標(biāo)人資格要求
投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:投標(biāo)人應(yīng)具備的資格:
1)投標(biāo)人必須具備獨(dú)立法（略）（（略）www.（略）.com）或機(jī)電產(chǎn)品（略）（（略）www.（略）.com）（略）成會員，境內(nèi)投標(biāo)人投標(biāo)文件須提供加蓋投標(biāo)人公章的營業(yè)執(zhí)照復(fù)印件。
2)本項目不接受聯(lián)合體投標(biāo)，不允許轉(zhuǎn)包（略）包；
3)（略）采購活動前三年內(nèi)（投標(biāo)人成立不足三年的可從成立之日起算），在經(jīng)營活動中無重大違法記錄、無行賄犯罪記錄、無串通投標(biāo)、弄虛作假不良行為記錄被暫停投標(biāo)資格（略）投標(biāo)及履約承諾函》中作出聲明）；
4)符合國家法規(guī)政策關(guān)于誠信管理的要求，至投標(biāo)截止時間，投標(biāo)人未（略）（（略）www.（略）.cn（略）（（略）www.（略）.cn）、（略）（（略）www.（略）.cn）、（略）（（略）www.（略）.com）和“國家（略）（（略）www.（略）.cn）等5（略）中列入“失信被執(zhí)行人、重大（略）采購嚴(yán)重違法失信行為記（略）采購?fù)稑?biāo)及履約承諾函》中作出聲明）；
5)招標(biāo)技術(shù)文件中要求的其它資質(zhì)文件。
是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受
未領(lǐng)購招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以
4、招標(biāo)文件的獲取
招標(biāo)文件領(lǐng)購開始時間:（略）-（略）-（略）
招標(biāo)文件領(lǐng)購結(jié)束時間:（略）-（略）-（略）
是否（略）售賣標(biāo)書:否
獲取招標(biāo)文件方式:（略）領(lǐng)購
招標(biāo)文件領(lǐng)購地址：（略）br/>5、投標(biāo)文件的遞交
投標(biāo)截止時間（開標(biāo)時間）:（略）-（略）-（略） （略）:（略）
投標(biāo)文件送達(dá)地址：（略）r/>開標(biāo)地址：（略）r/>6、聯(lián)系方式
招標(biāo)人：（略）子研究院
地址：（略）
招標(biāo)代理機(jī)構(gòu)開戶銀行(人民幣):中信銀行深（略）
招標(biāo)代理機(jī)構(gòu)開戶銀行(美（略）):中國銀行深（略）
賬號(人民幣):（略）
賬號(美（略）):（略）